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K7N327245M-HC250

更新时间： 2024-09-08 21:01:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	242K
描述
ZBT SRAM, 512KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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K7N327245M-HC250 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	209
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	2.6 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B209	长度：	22 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	72	功能数量：	1
端子数量：	209	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX72	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7N327245M-HC250 数据手册

Preliminary

K7N327245M

512Kx72 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

512Kx72-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

History

Advance

Preliminary

May. 10. 2001

Dec. 31. 2001

0.0

1. Initial document.

0.1

1. Speed bin merge.

From K7N327249M to K7N327245M

2. AC parameter change.

tOH(min)/tLZC(min) from 0.8 to 1.5 at -25

tOH(min)/tLZC(min) from 1.0 to 1.5 at -22

tOH(min)/tLZC(min) from 1.0 to 1.5 at -20

Preliminary

Feb. 11, 2003

0.2

1. Delete the speed bin (-22, -15, -13)

2. Update the JTAG boundary scan exit order.

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Feb. 2003

Rev 0.2

- 1 -

12 3 4 5 6 7...20

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与K7N327245M-HC250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N401801A	SAMSUNG	获取价格	128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM
K7N401801A-QC13	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100
K7N401801A-QC13T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100
K7N401801A-QC15	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100
K7N401801A-QC16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N401801A-QC16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N401801A-TC13	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N401801A-TC130	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N401801A-TC15	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N401801A-TC16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100