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K7D161871B-HC33

更新时间： 2024-11-07 19:45:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	259K
描述
Standard SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153

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K7D161871B-HC33 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	HBGA, BGA153,9X17,50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	1.7 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B153	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	153	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HBGA
封装等效代码：	BGA153,9X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.21 mm
最大待机电流：	0.1 A	最小待机电流：	2.37 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7D161871B-HC33 数据手册

Advance

512Kx36 & 1Mx18 SRAM

K7D163671B

K7D161871B

Document Title

16M DDR SYNCHRONOUS SRAM

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev. 0.1

History

DraftData

Feb. 2003

Sep. 2003

Remark

Advance

Initial document.

Change AC CHARACTERISTICS

-Remove Bin-40

-Data Setup time -33 : 0.25 -> 0.3

-Data Hold time -33 : 0.25 -> 0.3

-Remove : tQTRK, tCXCV

-Add : tCXCH,tCXCL,tCHQV,tCLQV,tCHQX,tCLQX,tCLQZ,tCHLZ

Change RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

-Input Reference Voltage (Max) : 1.0 -> 0.95

Change DC CHARACTERISTICS

- Fill up the blank(TBD)

- Change ISB1 : 150 -> 100

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the

right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters

of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.

Rev 0.1

- 1 -

Sep. 2003

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7D161871B-HC33T	SAMSUNG	获取价格	Application Specific SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153
K7D161871B-HC37	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153
K7D161871B-HC37T	SAMSUNG	获取价格	Application Specific SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153
K7D161871B-HC40	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX18, CMOS, PBGA153
K7D161871M-HC30	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 1MX18, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153
K7D161871M-HC40	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 1MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153
K7D161874B	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18 SRAM
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K7D161874B-HC300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 1MX18, 0.2ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-153

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