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K4T1G164QF-BIF70

更新时间： 2024-11-08 09:26:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	1051K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84

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K4T1G164QF-BIF70 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
长度：	12.5 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

K4T1G164QF-BIF70 数据手册

Rev. 1.2, Jan. 2012

K4T1G084QF

K4T1G164QF

1Gb F-die DDR2 SDRAM Industrial

60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

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