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K4T1G313QI-MCF70

更新时间： 2024-11-20 21:12:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	926K
描述
DDR DRAM, 32MX32, 0.4ns, CMOS, PBGA128, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-128

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K4T1G313QI-MCF70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	128
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B128
长度：	13.5 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	128	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	32MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	10.5 mm
Base Number Matches：	1

K4T1G313QI-MCF70 数据手册

DDR2 SDRAM

K4T1G313QI

1Gb x32 I-die DDR2 SDRAM Specification

128FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

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Rev. 1.0 August 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T28163QO	SAMSUNG	获取价格	Consumer Memory
K4T28163QP-BCE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84
K4T28163QP-BCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T28163QP-BCE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T28163QP-BCE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T28163QP-BCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T28163QP-BCF80	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T2G044QA-HCE7	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4T2G044QA-HCE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68
K4T2G044QA-HCF7T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA68

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