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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.73 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 | 长度： | 12.5 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 84 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA84,9X15,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 4,8 |
| 最大待机电流： | 0.008 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.185 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T28163QP-BCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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| K4T28163QP-BCF80 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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| K4T2G044QA-HCE7 | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| K4T2G044QA-HCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
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| K4T2G044QA-HCF7T | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA68 |
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| K4T2G044QA-HLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68, |
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| K4T2G044QA-HLE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68, |
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| K4T2G044QA-HLE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA68, |
|
| K4T2G044QA-HLE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA68, |
|
| K4T2G044QA-HLE7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA68, |
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