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K4T2G084QA-HCD5

更新时间： 2024-09-17 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	890K
描述
DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68

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K4T2G084QA-HCD5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA68,9X19,32
针数：	68	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B68	长度：	18 mm
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	68	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	256MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA68,9X19,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.015 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.29 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4T2G084QA-HCD5 数据手册

K4T2G044QA

K4T2G084QA

2Gb DDR2 SDRAM

2Gb A-die DDR2 SDRAM Specification

68FBGA with Lead-Free and Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 September 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T2G084QA-HCD5T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68
K4T2G084QA-HCE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68
K4T2G084QA-HCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA68, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-68
K4T2G084QA-HCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-68
K4T2G084QA-HLE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T51043Q	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
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