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K4T2G084QA-HLE7

更新时间： 2024-11-10 07:02:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
43页	848K
描述
DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,

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K4T2G084QA-HLE7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FBGA, BGA68,9X19,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B68
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	端子数量：	68
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	256MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA68,9X19,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4T2G084QA-HLE7 数据手册

K4T2G044QA

K4T2G084QA

2Gb DDR2 SDRAM

2Gb A-die DDR2 SDRAM Specification

68FBGA with Lead-Free and Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 December 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T2G084QA-HLE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T51043Q	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51043QB-GCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51043QB-GCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51043QB-GCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51043QB-GCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4T51043QB-GLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4T51043QB-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM

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