Datasheet > K4T51043QB-GCCC0

K4T51043QB-GCCC0

更新时间： 2024-11-21 07:22:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	591K
描述
DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4T51043QB-GCCC0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.4	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128MX4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4T51043QB-GCCC0 数据手册

DDR2 SDRAM

512Mb B-die DDR2 SDRAM

512Mb B-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.5

July 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Page 1 of 28

Rev. 1.5 July 2005

12 3 4 5 6 7...28

中文翻译

下载PDF

与K4T51043QB-GCCC0相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T51043QB-GCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51043QB-GCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4T51043QB-GLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4T51043QB-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51043QB-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51043QB-ZCD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51043QC-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51043QC-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51043QC-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51043QC-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM

与K4T51043QB-GCCC0相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51043QB-GCCC0

K4T51043QB-GCCC0 技术参数

K4T51043QB-GCCC0 数据手册

与K4T51043QB-GCCC0相关器件

与K4T51043QB-GCCC0相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51043QB-GCCC0

K4T51043QB-GCCC0 技术参数

K4T51043QB-GCCC0 数据手册

与K4T51043QB-GCCC0相关器件

与K4T51043QB-GCCC0相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？