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K4T51043QB-GLCC0

更新时间: 2024-11-20 20:49:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 600K
描述
DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

K4T51043QB-GLCC0 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA,
针数:60Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.4访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B60JESD-609代码:e1
长度:13 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:2功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:128MX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:11 mmBase Number Matches:1

K4T51043QB-GLCC0 数据手册

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Preliminary  
DDR2 SDRAM  
512Mb B-die DDR2 SDRAM  
512Mb B-die DDR2 SDRAM Specification  
Version 0.91  
September 2003  
Rev. 0.91 (Sep. 2003)  
Page 1 of 38  

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