是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.4 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 4 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 128MX4 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 11 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T51043QB-ZCCC | SAMSUNG |
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512Mb B-die DDR2 SDRAM | |
K4T51043QB-ZCD5 | SAMSUNG |
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512Mb B-die DDR2 SDRAM | |
K4T51043QB-ZCD50 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51043QC-ZCCC | SAMSUNG |
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512Mb C-die DDR2 SDRAM | |
K4T51043QC-ZCCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51043QC-ZCCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51043QC-ZCD5 | SAMSUNG |
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512Mb C-die DDR2 SDRAM | |
K4T51043QC-ZCD5T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA63 | |
K4T51043QC-ZCD5TM0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T51043QC-ZCD6 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |