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K4T51043QC-ZCD5

更新时间： 2024-11-08 22:07:39

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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512Mb C-die DDR2 SDRAM

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K4T51043QC-ZCD5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	266 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	端子数量：	60
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	128MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4T51043QC-ZCD5 数据手册

DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.4

August 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.4 Aug. 2005

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