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K4T2G084QA-HCD5T

更新时间： 2024-09-17 14:25:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	890K
描述
Cache DRAM Module, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68

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K4T2G084QA-HCD5T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA68,9X19,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B68
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	68	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	256MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA68,9X19,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.29 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4T2G084QA-HCD5T 数据手册

K4T2G044QA

K4T2G084QA

2Gb DDR2 SDRAM

2Gb A-die DDR2 SDRAM Specification

68FBGA with Lead-Free and Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 December 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4T2G084QA-HCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA68, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-68
K4T2G084QA-HCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-68
K4T2G084QA-HLE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
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