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K4T2G044QA-HLE7T

更新时间： 2024-11-07 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
43页	848K
描述
DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA68,

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K4T2G044QA-HLE7T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FBGA, BGA68,9X19,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B68
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	端子数量：	68
字数：	536870912 words	字数代码：	512000000
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	512MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA68,9X19,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4T2G044QA-HLE7T 数据手册

K4T2G044QA

K4T2G084QA

2Gb DDR2 SDRAM

2Gb A-die DDR2 SDRAM Specification

68FBGA with Lead-Free and Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 December 2007

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K4T2G084QA-HCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA68, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-68
K4T2G084QA-HCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-68
K4T2G084QA-HLE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,
K4T2G084QA-HLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68,

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