K4T1G164QQ-HLE6

更新时间： 2024-11-25 08:13:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	977K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4T1G164QQ-HLE6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	84
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.245 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K4T1G164QQ-HLE6 数据手册

K4T1G044QQ

K4T1G084QQ

K4T1G164QQ

DDR2 SDRAM

1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

1 of 45

Rev. 1.2 December 2008

12 3 4 5 6 7...45

中文翻译

下载PDF

与K4T1G164QQ-HLE6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T1G164QQ-HLF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QQ-HPE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QQ-HPF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QQ-HPF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QQ-HPF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T1G313QI-MCE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX32, 0.4ns, CMOS, PBGA128, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-128
K4T1G313QI-MCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX32, 0.4ns, CMOS, PBGA128, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-128
K4T28163QO	SAMSUNG	获取价格	Consumer Memory
K4T28163QP-BCE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84
K4T28163QP-BCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84

与K4T1G164QQ-HLE6相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T1G164QQ-HLE6

K4T1G164QQ-HLE6 技术参数

K4T1G164QQ-HLE6 数据手册

与K4T1G164QQ-HLE6相关器件

与K4T1G164QQ-HLE6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T1G164QQ-HLE6

K4T1G164QQ-HLE6 技术参数

K4T1G164QQ-HLE6 数据手册

与K4T1G164QQ-HLE6相关器件

与K4T1G164QQ-HLE6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？