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K4T1G164QQ-HIE6

更新时间： 2024-11-08 07:54:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	795K
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DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84,

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K4T1G164QQ-HIE6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	最长访问时间：	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
JESD-609代码：	e1	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	端子数量：	84
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4T1G164QQ-HIE6 数据手册

Industrial DDR2 SDRAM

K4T1G164QQ

1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification

84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

Industrial temp. -40’c to 95’c

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Rev. 1.3 December 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4T1G164QQ-HPE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QQ-HPF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QQ-HPF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
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