是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | VFBGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.69 | 访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.4 ns | 其他特性: | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 | 长度: | 12.5 mm |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 64MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 座面最大高度: | 1 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T1G164QG-BPE60 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | |
K4T1G164QG-BPE6T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QM-ZCCC | SAMSUNG |
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1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QM-ZCD5 | SAMSUNG |
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1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QQ | SAMSUNG |
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1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QQ-HC(L)E6 | SAMSUNG |
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1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QQ-HC(L)E7 | SAMSUNG |
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1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QQ-HC(L)F7 | SAMSUNG |
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1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QQ-HCE6 | SAMSUNG |
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1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QQ-HCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |