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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | VFBGA, | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.69 | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.4 ns | 其他特性： | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 | 长度： | 12.5 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 84 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 64MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G164QG-BPE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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| K4T1G164QG-BPE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4T1G164QM-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
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| K4T1G164QM-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G164QQ | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
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| K4T1G164QQ-HC(L)E6 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
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| K4T1G164QQ-HC(L)E7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
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| K4T1G164QQ-HC(L)F7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
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| K4T1G164QQ-HCE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G164QQ-HCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
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