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K4T1G164QQ-HCE7 PDF预览

K4T1G164QQ-HCE7

更新时间： 2024-11-08 00:56:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
44页 886K
描述
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification

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K4T1G164QQ-HCE7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FBGA, BGA84,9X15,32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最长访问时间：0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：400 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：4,8JESD-30 代码：R-PBGA-B84
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
端子数量：84字数：67108864 words
字数代码：64000000组织：64MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA84,9X15,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192连续突发长度：4,8
最大待机电流：0.015 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.265 mA标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

K4T1G164QQ-HCE7 数据手册

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K4T1G044QQ  
K4T1G084QQ  
K4T1G164QQ  
DDR2 SDRAM  
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification  
60FBGA & 84FBGA with Pb-Free & Halogen-Free  
(RoHS compliant)  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,  
AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.  
NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED  
ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.  
1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.  
2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar  
applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or  
defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
1 of 44  
Rev. 1.01 November 2007  
1234567...44

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4T1G164QQ-HCE70 SAMSUNG

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 		DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QQ-HCE7T SAMSUNG

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 		DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QQ-HCF7 SAMSUNG

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 		1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QQ-HCF7T SAMSUNG

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 		DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T1G164QQ-HCLE6 SAMSUNG

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 		1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
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 		DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84,
K4T1G164QQ-HIF70 SAMSUNG

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 		DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T1G164QQ-HLE6 SAMSUNG

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 		DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84

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