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JANSF2N7389 PDF预览

JANSF2N7389

更新时间： 2024-09-09 21:53:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)

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JANSF2N7389 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：165 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.35 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-CBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/630
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANSF2N7389 数据手册

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PD - 90882F  
IRHF9130  
JANSR2N7389  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
100V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/630  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHF9130  
100K Rads (Si)  
0.30Ω  
0.30Ω  
-6.5A  
JANSR2N7389  
IRHF93130 300K Rads (Si)  
-6.5A  
JANSF2N7389  
International Rectifier’s RAD-Hard HEXFETTM technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
TO-39  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
LowTotal Gate Charge  
ProtonTolerant  
SimpleDriveRequirements  
EaseofParalleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
LightWeight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-6.5  
-4.1  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
-26  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
25  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
0.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
165  
mJ  
A
AS  
I
-6.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
2.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-22  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 ( 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
0.98 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
2/18/03  
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JANSF2N7389 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRHF9130 INFINEON

完全替代

 TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)
JANSR2N7389 INFINEON

完全替代

 TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)

与JANSF2N7389相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSF2N7389U INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC
JANSF2N7390 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
JANSF2N7390U INFINEON

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 		Rad hard, -200V, -4A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC packageage - 18-pin LC
JANSF2N7394 INFINEON

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 		Rad hard, 60V, 35A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 300 kra
JANSF2N7394U INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
JANSF2N7422 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANSF2N7422U INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT
JANSF2N7423 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)
JANSF2N7423U INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
JANSF2N7424 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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