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JANSF2N7468U2

更新时间： 2024-09-15 11:01:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1285K
描述
Rad hard, 60V, 75A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-2 package - SMD-2, 300 krad(Si) TID, QPL

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JANSF2N7468U2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.39
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0056 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/673
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

JANSF2N7468U2 数据手册

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PD-91852J  
IRHNA57064  
JANSR2N7468U2  
60V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/673  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
TECHNOLOGY  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
R
5
Product Summary  
Part Number  
IRHNA57064  
IRHNA53064  
IRHNA55064  
IRHNA58064  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
JANSR2N7468U2  
JANSF2N7468U2  
JANSG2N7468U2  
JANSH2N7468U2  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
500 kRads(Si)  
1000 kRads(Si)  
75A*  
75A*  
75A*  
75A*  
5.6m  
5.6m  
5.6m  
6.5m  
Description  
Features  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Ceramic Package  
IRHNA57064 is part of the International Rectifier HiRel  
family of products. IR HiRel R5 technology provides high  
performance power MOSFETs for space applications.  
These devices have been characterized for both Total  
Dose and Single Event Effect (SEE) with useful  
performance up to LET of 80 (MeV/(mg/cm2). The  
combination of low RDS(on) and low gate charge reduces  
the power losses in switching applications such as DC-  
DC converters and motor controllers. These devices  
retain all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
Light Weight  
Surface Mount  
ESD Rating: Class 3B per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Pre-Irradiation  
Units  
75*  
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
75*  
300  
250  
2.0  
A
IDM  
Pulsed Drain Current  
W
W/°C  
V
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
± 20  
500  
VGS  
EAS  
IAR  
mJ  
A
75  
25  
mJ  
V/ns  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
4.4  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
Weight  
* Current is limited by package  
For Footnotes, refer to the page 2.  
1
2018-03-09  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
12345678

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与JANSF2N7468U2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSF2N7468U2A INFINEON

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