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JANSF2N7389U PDF预览

JANSF2N7389U

更新时间： 2024-11-30 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 989K
描述
Rad hard, -100V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC, 300 krad(Si) TID, QPL

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JANSF2N7389U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：165 mJ外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.35 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N15JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：15
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/630子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANSF2N7389U 数据手册

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PD-90881E  
IRHE9130  
JANSR2N7389U  
100V, P-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-18)  
REF: MIL-PRF-19500/630  
RAD Hard™HEXFET ® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHE9130  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
-6.5A  
-6.5A  
JANSR2N7389U  
JANSF2N7389U  
0.30  
0.30  
IRHE93130  
LCC-18  
Description  
Features  
IR HiRel RADHard™ HEXFET® technology provides high  
performance power MOSFETs for space applications. This  
technology has over a decade of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have been  
characterized for both Total Dose and Single Event Effects  
(SEE). The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications such as  
DC to DC converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs such as  
voltage control, fast switching and temperature stability of  
electrical parameters.  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
ESD Rating: Class 1B per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = -12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = -12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-6.5  
A
-4.1  
-26  
25  
IDM @ TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Pulsed Drain Current   
Maximum Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.2  
±20  
165  
-6.5  
2.5  
-22  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
mJ  
V/ns  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Package Mounting Surface Temp.  
Weight  
°C  
g
300 (for 5s)  
0.42 (Typical)  
For Footnotes, refer to the page 2.  
1
2019-12-10  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
12345678

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JANSF2N7389U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRHE9130 INFINEON

完全替代

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