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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANSF2N7426U
JANSF2N7426U PDF预览

JANSF2N7426U

更新时间： 2024-11-29 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

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JANSF2N7426U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A
最大漏极电流 (ID)：29 A最大漏源导通电阻：0.159 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：116 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/655
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANSF2N7426U 数据手册

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PD - 93969  
IRHNA9260  
JANSR2N7426U  
200V,P-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
Product Summary  
REF: MIL-PRF-19500/655  
RAD-Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Part Number Radiation Level  
IRHNA9260 100K Rads (Si)  
IRHNA93260 300K Rads (Si)  
RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
0.154Ω -29A JANSR2N7426U  
0.154Ω -29A JANSF2N7426U  
SMD-2  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET®  
MOSFET technology provides high performance  
power MOSFETs for space applications. This tech-  
nology has over a decade of proven performance  
and reliability in satellite applications. These de-  
vices have been characterized for both Total Dose  
and Single Event Effects (SEE). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These de-  
vices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switch-  
ing, ease of paralleling and temperature stability  
of electrical parameters.  
Features:  
n Single Event Effect (SEE) Hardened  
n Ultra Low RDS(on)  
n Low Total Gate Charge  
n Proton Tolerant  
n Simple Drive Requirements  
n Ease of Paralleling  
n Hermetically Sealed  
n Surface Mount  
n Ceramic Package  
n Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
-29  
D
GS  
C
A
I
D
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
-18  
-116  
300  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
DM  
@ T = 25°C  
P
Max.Power Dissipation  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.4  
V
GS  
Gate-to-SourceVoltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current ➀  
➀
500  
mJ  
A
AS  
I
-29  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
30  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-20  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
11/21/00  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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