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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JANS2N3867
JANS2N3867 PDF预览

JANS2N3867

更新时间： 2024-02-18 21:48:38
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 121K
描述
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

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JANS2N3867 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-5
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.12
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-5
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Qualified
参考标准：MILITARY STANDARD (USA)表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：600 ns最大开启时间（吨）：100 ns
Base Number Matches：1

JANS2N3867 数据手册

 浏览型号JANS2N3867的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANS2N3867的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANS2N3867的Datasheet PDF文件第4页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/350  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
2N3867  
2N3868  
2N3867S  
2N3868S  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Base Voltage  
Symbol 2N3867 2N3868  
Unit  
Vdc  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
40  
60  
60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Vdc  
4.0  
3.0  
1.0  
Vdc  
mAdc  
W/°C  
°C  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C (1)  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameters / Test Conditions  
TO-5 *  
2N3867, 2N3868  
Symbol  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
175  
°C/mW  
RθJA  
Note: * Electrical characteristics for “S” suffix devices are identical to the “non S”  
corresponding devices.  
1/ Derate linearly 5.71mW/°C for TA > +25°C  
2/ Derate linearly 57.1mW/°C for TC > +25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Collector-Emitter Breakdown Current  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
V(BR)CEO  
Vdc  
2N3867, S  
2N3868, S  
40  
60  
IC = 10μAdc  
TO-39 * (TP-205AD)  
2N3867S, 2N3868S  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 40Vdc  
2N3867, S  
2N3868, S  
ICBO  
IEBO  
100  
100  
µAdc  
µAdc  
V
CB = 60Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 4.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 40Vdc  
2N3867, S  
2N3868, S  
2N3867, S  
2N3868, S  
1.0  
1.0  
50  
V
CE = 60Vdc  
ICEX  
µAdc  
VCE = 40Vdc, TA = +150°C  
VCE = 60Vdc, TA = +150°C  
50  
T4-LDS-0170 Rev. 1 (101121)  
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1234

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JANS2N3867 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N3867S MICROSEMI

完全替代

 Silicon PNP Power Transistors
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 Silicon PNP Power Transistors
JAN2N3867S MICROSEMI

类似代替

 Silicon PNP Power Transistors

与JANS2N3867相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N3867S MICROSEMI

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 		PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
JANS2N3868 MICROSEMI

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 		PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
JANS2N3868S MICROSEMI

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 		PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
JANS2N3996 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JANS2N3997 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JANS2N4029 MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P
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