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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JANS2N3868S
JANS2N3868S PDF预览

JANS2N3868S

更新时间： 2024-11-29 12:03:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 121K
描述
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

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JANS2N3868S 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.24
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-205AD
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/350
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：600 ns最大开启时间（吨）：100 ns
Base Number Matches：1

JANS2N3868S 数据手册

 浏览型号JANS2N3868S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANS2N3868S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANS2N3868S的Datasheet PDF文件第4页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/350  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
2N3867  
2N3868  
2N3867S  
2N3868S  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Base Voltage  
Symbol 2N3867 2N3868  
Unit  
Vdc  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
40  
60  
60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Vdc  
4.0  
3.0  
1.0  
Vdc  
mAdc  
W/°C  
°C  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C (1)  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameters / Test Conditions  
TO-5 *  
2N3867, 2N3868  
Symbol  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
175  
°C/mW  
RθJA  
Note: * Electrical characteristics for “S” suffix devices are identical to the “non S”  
corresponding devices.  
1/ Derate linearly 5.71mW/°C for TA > +25°C  
2/ Derate linearly 57.1mW/°C for TC > +25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Collector-Emitter Breakdown Current  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
V(BR)CEO  
Vdc  
2N3867, S  
2N3868, S  
40  
60  
IC = 10μAdc  
TO-39 * (TP-205AD)  
2N3867S, 2N3868S  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 40Vdc  
2N3867, S  
2N3868, S  
ICBO  
IEBO  
100  
100  
µAdc  
µAdc  
V
CB = 60Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 4.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 40Vdc  
2N3867, S  
2N3868, S  
2N3867, S  
2N3868, S  
1.0  
1.0  
50  
V
CE = 60Vdc  
ICEX  
µAdc  
VCE = 40Vdc, TA = +150°C  
VCE = 60Vdc, TA = +150°C  
50  
T4-LDS-0170 Rev. 1 (101121)  
Page 1 of 4  
1234

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JANS2N3868S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN2N3868S MICROSEMI

完全替代

 Silicon PNP Power Transistors
JAN2N3868 MICROSEMI

完全替代

 Silicon PNP Power Transistors
JANTXV2N3868S MICROSEMI

完全替代

 Silicon PNP Power Transistors

与JANS2N3868S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N3996 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JANS2N3997 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JANS2N3998 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JANS2N3999 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JANS2N4029 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA,
JANS2N4033UA MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P
JANS2N4033UB MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P
JANS2N4150 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
JANS2N4150S ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39
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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-72

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