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JANS2N4449

更新时间： 2024-11-29 21:20:19

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	437K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

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JANS2N4449 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-46
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/317	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	500 MHz
最大关闭时间（toff）：	18 ns	最大开启时间（吨）：	12 ns
Base Number Matches：	1

JANS2N4449 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/317

DEVICES

LEVELS

JAN

2N2369A

2N2369AU

2N2369AUA

2N2369AUB

2N2369AUBC *

2N4449

JANTX

JANTXV

JANS

* Available to JANS quality level only.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_EBO

V_CBO

I_CES

Value

Unit

Vdc

Emitter-Base Voltage

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

4.5

TO-18 (TO-206AA)

2N2369A

Total Power Dissipation @

T_A= +25°C

2N2369A; 2N4449

UA, UB, UBC

0.36 ⁽¹⁾

0.36 ^{(1, 3)}

0.50 ⁽²⁾

P_T

TO-46 (TO-206AB)

2N4449

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op, T_stg

-65 to +200

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Ambient-to-Case

2N2369A; 2N4449

UA, UB, UBC

400

486 ⁽³⁾

350

°C/W

R_JA

SURFACE MOUNT

Note:

1. Derate linearly 2.06 mW°/C above T_A= +25°C.

2. Derate linearly 3.44 mW°/C above T_A= +54.5°C.

3. Mounted on FR-4 PCB (1Oz. Cu) with contacts 20 mils larger than package pads.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

SURFACE MOUNT

UB & UBC

(UBC = Ceramic Lid Version)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min. Max. Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 20Vdc

V_(BR)CEO

I_CES

Vdc

0.4

Adc

SURFACE MOUNT

U (Dual Transistor)

T4-LDS-0057 Rev. 3 (110213)

Page 1 of 8

12 3 4 5 6 7 8

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JANS2N4449 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N4449	MICROSEMI	功能相似	NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N5002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA
JANS2N5003	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin
JANS2N5004	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA
JANS2N5005	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin
JANS2N5039	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 75V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JANS2N5109	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-39
JANS2N5109UB	ETC	获取价格	BJT
JANS2N5151	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANS2N5151L	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANS2N5151U3	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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