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JANS2N5005

更新时间: 2024-01-25 22:03:22
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 87K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin

JANS2N5005 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.32外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):70
JESD-30 代码:O-MUPM-D3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):50 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

JANS2N5005 数据手册

  

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