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JANS2N5004

更新时间： 2024-01-27 04:21:38

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
21页	116K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA

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JANS2N5004 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-59
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-59	JESD-30 代码：	O-MUPM-X3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANS2N5004 数据手册

The documentation and process

conversion measures necessary to

comply with this revision shall be

completed by 31 October 2001.

INCH-POUND

MIL-PRF-19500/534C

31 July 2001

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/534B

30 December 1997

PERFORMANCE SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER

TYPES 2N5002, 2N5004, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power transistors for use in

high-speed power-switching applications. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated

device type as specified in MIL-PRF-19500. Two levels of product assurance for each unencapsulated device type

die.

1.2 Physical dimensions. See figure 1 (T6-C, similar to T0-59) and figure 2 (die).

* 1.3 Maximum ratings.

P_T(1)

P_T(2)

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

I_C(3)

Reverse

pulse

_stgand T_J

T_A= 25°C T_C= 25°C

energy

V dc

100

V dc

5.5

A dc

°C

-65 to +200

(1) Derate linearly 11.4 mW/°C for T_A> 25°C.

(2) Derate linearly 331 mW/°C for T_C> 25°C.

(3) This value applies for Pw ≤ 8.3 ms, duty cycle ≤ 1 percent.

Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in

improving this document should be addressed to: Defense Supply Center, Columbus, ATTN: DSCC-VAC,

P.O. Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD

Form 1426) appearing at the end of this document or by letter.

AMSC N/A

FSC 5961

DISTRIBUTION STATEMENT. Approved for public release; distribution is unlimited.

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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JANS2N5109	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-39
JANS2N5109UB	ETC	获取价格	BJT
JANS2N5151	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANS2N5151L	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
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JANS2N5152L	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3
JANS2N5152U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), NPN,

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