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JANS2N4033UB PDF预览

JANS2N4033UB

更新时间： 2024-11-30 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 284K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3

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JANS2N4033UB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred包装说明：CERAMIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-CDSO-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/512表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：210 ns最大开启时间（吨）：40 ns

JANS2N4033UB 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/512  
DEVICES  
LEVELS  
2N4029  
2N4033  
2N4033UA  
2N4033UB  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
80  
5.0  
TO-18 (TO-206AA)  
2N4029  
1.0  
2N4029 1  
0.5  
0.8  
0.5  
Total Power Dissipation @ TA =  
+25°C  
2N4033 2  
PT  
W
2N4033UA, UB3  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
Tj, Tstg  
RθJC  
-65 to +200  
°C  
2N4029  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2N4033  
80  
40  
°C/W  
Note:  
1. Derate linearly 2.86mW/°C for TA > +25°C  
2. Derate linearly 4.56mW/°C for TA > +25°C  
3. For UB package and use RθJC or see thermal curves in /512  
TO-39 (TO-205AD)  
2N4033  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERTICS  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 80Vdc  
UA Package  
μAdc  
ηAdc  
μAdc  
10  
10  
25  
ICBO  
V
CB = 60Vdc  
VCB = 60Vdc, TA = +150°C  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 5.0Vdc  
10  
25  
μAdc  
ηAdc  
IEBO  
V
EB = 3.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
BE = 2.0Vdc, VCE = 60Vdc  
ICEX  
25  
ηAdc  
V
UB Package  
T4-LDS-0157 Rev. 2 (101305)  
Page 1 of 6  
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JANS2N4033UB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N4033UB MICROSEMI

完全替代

 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N4033UB MICROSEMI

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P

与JANS2N4033UB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N4150 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5
JANS2N4150S ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39
JANS2N4261 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-72
JANS2N4261UB ETC

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 		BJT
JANS2N4449 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46,
JANS2N5002 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA
JANS2N5003 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA
JANS2N5005 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin
JANS2N5039 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 75V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL

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