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JANS2N4150

更新时间： 2024-01-11 16:26:33

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其他 - ETC		晶体晶体管开关
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5

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JANS2N4150 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-5	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.23	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/394H
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	2000 ns
最大开启时间（吨）：	550 ns	Base Number Matches：	1

JANS2N4150 数据手册

The documentation and process conversion

measures necessary to comply with this revision

shall be completed by 5 October 2002.

INCH-POUND

MIL-PRF-19500/394G

5 July 2002

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/394F

23 April 2001

PERFORMANCE SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER SWITCHING

TYPES: 2N4150, 2N5237, 2N5238, 2N4150S, 2N5237S, AND 2N5238S

JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC AND JANKC

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power, high voltage

transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device type as specified in

MIL-PRF-19500 and two levels of product assurance are provided for each unencapsulated device type.

1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO- 5) and figures 2 and 3 (JANHC and JANKC).

1.3 Maximum ratings.

Types

CBO

CEO

EBO

and

R_qJC

(max)

R_qJA

(min)

T (1)

T (2)

STG

= +25°C

+25°C

V dc

A dc

°C

°C/mW

2N4150, S

2N5237, S

2N5238, S

1.0

5.0

100

150

200

120

170

-65 to +200

.020

.175

(1) Derate linearly 5.7 mW/°C for T_A> +25°C.

(2) Derate linearly 50 mW/°C for T_C> +100°C.

Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in

improving this document should be addressed to: Defense Supply Center, Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O.

Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form

1426) appearing at the end of this document or by letter.

AMSC N/A

FSC 5961

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N4150S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-39
JANS2N4261	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-72
JANS2N4261UB	ETC	获取价格	BJT
JANS2N4449	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46,
JANS2N5002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA
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JANS2N5004	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA
JANS2N5005	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin
JANS2N5039	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 75V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
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