JAN2N3867S

更新时间： 2024-01-04 08:02:44

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
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2页	56K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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JAN2N3867S 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/350H
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	600 ns
最大开启时间（吨）：	100 ns	Base Number Matches：	1

JAN2N3867S 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 350

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N3867

2N3867S

2N3868

2N3868S

MAXIMUM RATINGS

2N3867 2N3868

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N3867S

2N3868S

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Unit

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.0

3.0

TO-5*

2N3867, 2N3868

Collector Current -- Continuous

Total Power Dissipation

@ T_A= 25⁰C⁽¹⁾

1.0

-55 to +200

⁰C

P_T

@ T_C= 25⁰C⁽²⁾

Operating & Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

T_OP,T_STG

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-39*

(TO-205AD)

2N3867S, 2N3868S

Thermal Resistance, Junction-to-Case

17.5

qJC

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 57.1 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

I_C= 100 mAdc

2N3867, S

2N3868, S

V_(BR)

CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 20 mAdc

2N3867, S

2N3868, S

V_(BR)

CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc

Vdc

V_(BR)

EBO

4.0

Collector-Emitter Cutoff Current

V_EB= 2.0 Vdc, V_CE= 40 Vdc

V_EB= 2.0 Vdc, V_CE= 60 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 40 Vdc

V_CB= 60 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4 Vdc

mAdc

1.0

2N3867, S

2N3868, S

I_CEX

mAdc

100

2N3867, S

2N3868, S

I_CBO

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N3867S	MICROSEMI	完全替代	Silicon PNP Power Transistors
JANTX2N3867S	MICROSEMI	完全替代	Silicon PNP Power Transistors
JANTX2N3867	MICROSEMI	类似代替	Silicon PNP Power Transistors

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N3868	MICROSEMI	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
JAN2N3868S	MICROSEMI	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
JAN2N3879	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N388	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-5
JAN2N3902	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-3
JAN2N3960	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| TO-18
JAN2N3960UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3
JAN2N396A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-5
JAN2N398A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 105V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-5
JAN2N3996	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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