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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> JAN2N3999
JAN2N3999 PDF预览

JAN2N3999

更新时间： 2024-11-26 23:16:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体开关晶体管功率双极晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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JAN2N3999 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-111
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.22
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-59JESD-30 代码：O-MUPM-X3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/374表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JAN2N3999 数据手册

 浏览型号JAN2N3999的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 374  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N3996  
2N3997  
2N3998  
2N3999  
JANTX  
JANTXV  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
100  
8.0  
0.5  
5.0  
10(1)  
2.0  
30  
Collector Current  
Adc  
IC  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C (2)  
@ TC = +1000C (3)  
W
0C  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
-65 to +200  
TJ, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
TO-111*  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
3.33  
R
qJC  
1) This value applies for tp £ 1.0 ms, duty cycle £ 50%  
2) Derate linearly 11.4 mW/0C for TA > +250C  
3) Derate linearly 300 mW/0C for TC > +1000C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 50 mAdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10 mAdc  
80  
Vdc  
Vdc  
V(BR)  
CEO  
100  
V(BR)  
CBO  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 60 Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 80 Vdc, VBE = 0  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 5.0 Vdc  
10  
ICEO  
ICES  
mAdc  
hAdc  
200  
200  
10  
hAdc  
mAdc  
IEBO  
VEB = 8.0 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
12

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JAN2N3999 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE75 NTE

类似代替

 Silicon NPN Transistor High Power Amplifier, Switch (Stud Mount)

与JAN2N3999相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N4026 MOTOROLA

获取价格

 		1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, TO-206AA, 3 PIN
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