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NTE75 PDF预览

NTE75

更新时间： 2024-02-21 09:54:14
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Silicon NPN Transistor High Power Amplifier, Switch (Stud Mount)

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NTE75 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.68Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-111
JESD-30 代码：O-MUPM-X3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：50 W
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

NTE75 数据手册

 浏览型号NTE75的Datasheet PDF文件第2页 
NTE75  
Silicon NPN Transistor  
High Power Amplifier, Switch  
(Stud Mount)  
Description:  
The NTE75 is a silicon NPN transistor in a TO111 type stud mount package that provides a unique  
combination of low saturation voltage, high gain, and fast switching. This device is ideally suited for  
power supply, pulse amplifier, and similar high efficiency power switching applications.  
Features:  
D Fast Switching: tr, tf = 300ns (Max)  
D Low Saturation Voltage: 250mV max @ 1A  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V  
DC Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Power Dissipation, PD  
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W  
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W  
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.33°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
110  
80  
8
Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Cutoff Current  
V
I = 10µA  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
V
V
I = 100mA, Note 1  
C
I = 10µA  
–
V
E
I
V
CE  
V
CE  
V
CB  
V
EB  
= 60V  
–
100  
10  
0.4  
0.4  
µA  
µA  
µA  
µA  
CEO  
I
= 110V, V = 500mV  
–
CEX  
CBO  
EB  
Collector–Base Cutoff Current  
Emitter–Base Cutoff Current  
I
= 80V  
= 6V  
–
I
–
EBO  
Note 1. Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
12

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NTE75 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N3999 MICROSEMI

类似代替

 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3999 MICROSEMI

类似代替

 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N3999 MICROSEMI

功能相似

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