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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/399 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N396A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N398A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 105V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N3996 | MICROSEMI |
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NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3996 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 |
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| JAN2N3997 | MICROSEMI |
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NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3997 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 |
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| JAN2N3998 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3998 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| JAN2N3999 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3999 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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