Datasheet > JANS2N3810U

JANS2N3810U

更新时间： 2024-11-29 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	305K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78, TO-78, 8 PIN

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JANS2N3810U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-78	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-78	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANS2N3810U 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500 /336

DEVICES

LEVELS

JAN

2N3810

2N3811

2N3810L

2N3810U

2N3811L

2N3811U

JANTX

JANTV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

5.0

Vdc

mAdc

One

Both

Section ¹Sections ²

P_T

200 350

°C

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C

TO-78

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

-65 to +200

NOTES:

1. Derate linearly 1.143mW/°C for T_A> +25°C (one section)

2. Derate linearly 2.000mW/°C for T_A> +25°C (both sections)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

Vdc

I_C= 100μAdc

U - Package

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50Vdc

V_CB= 60Vdc

ηAdc

μAdc

I_CBO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc

V_EB= 5.0Vdc

ηAdc

μAdc

I_EBO

T4-LDS-0118 Rev. 2 (110152)

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与JANS2N3810U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N3811	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANS2N3811L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANS2N3811U	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANS2N3866A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 400MA I(C) \| TO-39
JANS2N3866AUB	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3866UB	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3867	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
JANS2N3867S	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
JANS2N3868	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
JANS2N3868S	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

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