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JANS2N3811L PDF预览

JANS2N3811L

更新时间： 2024-02-02 06:46:02
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 91K
描述
TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-78

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JANS2N3811L 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-78
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.38
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：250
JEDEC-95代码：TO-78JESD-30 代码：O-MBCY-W8
元件数量：2端子数量：8
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/336
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANS2N3811L 数据手册

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The documentation and process conversion measures necessary to  
comply with this document shall be completed by 4 April, 2002.  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/396H  
4 January 2002  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/396G  
21 April 2000  
PERFORMANCE SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, PNP, SILICON, SWITCHING  
TYPES 2N3762, 2N3762L, 2N3763, 2N3763L, 2N3764, AND 2N3765  
JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC AND JANKC  
This specification is approved for use by all Departments  
and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for PNP silicon switching transistors. Four  
levels of product assurance are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500 and two  
levels of product assurance are provided for each unencapsulated device type.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1, 2N3762L and 2N3763L (TO-5), 2N3762 and 2N3763 (TO-39), 2N3764  
and 2N3765 (TO - 46) and figure 2 (die) herein.  
1.3 Maximum ratings.  
Types  
PT  
VCBO  
V dc  
VCEO  
V dc  
VEBO  
V dc  
IC  
TOP and TSTG  
R
θJC  
TA = +25°C  
W
A dc  
°C  
°C/W  
2N3762  
2N3762L  
2N3763  
2N3763L  
2N3764  
2N3765  
1.0 (1)  
1.0 (1)  
1.0 (1)  
1.0 (1)  
0.5 (2)  
0.5 (2)  
40  
40  
60  
60  
40  
60  
40  
40  
60  
60  
40  
60  
5
5
5
5
5
5
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
-65 to +200  
-65 to +200  
-65 to +200  
-65 to +200  
-65 to +200  
-65 to +200  
60  
60  
60  
60  
88  
88  
(1) Derate linearly at 5.71 mW/°C above TA = +25°C.  
(2) Derate linearly at 2.86 mW/°C above TA = +25°C.  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in  
improving this document should be addressed to: Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P. O.  
Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form  
1426) appearing at the end of this document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...17

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与JANS2N3811L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N3811U MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
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