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JANS2N3810

更新时间： 2024-01-10 04:33:49

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	91K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78

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JANS2N3810 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-78	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-78	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANS2N3810 数据手册

The documentation and process conversion measures necessary to

comply with this document shall be completed by 4 April, 2002.

INCH-POUND

MIL-PRF-19500/396H

4 January 2002

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/396G

21 April 2000

PERFORMANCE SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, PNP, SILICON, SWITCHING

TYPES 2N3762, 2N3762L, 2N3763, 2N3763L, 2N3764, AND 2N3765

JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC AND JANKC

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for PNP silicon switching transistors. Four

levels of product assurance are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500 and two

levels of product assurance are provided for each unencapsulated device type.

1.2 Physical dimensions. See figure 1, 2N3762L and 2N3763L (TO-5), 2N3762 and 2N3763 (TO-39), 2N3764

and 2N3765 (TO - 46) and figure 2 (die) herein.

1.3 Maximum ratings.

Types

P_T

V_CBO

V dc

V_CEO

V dc

V_EBO

V dc

I_C

T_OPand T_STG

θJC

T_A= +25°C

A dc

°C

°C/W

2N3762

2N3762L

2N3763

2N3763L

2N3764

2N3765

1.0 (1)

0.5 (2)

1.5

-65 to +200

(1) Derate linearly at 5.71 mW/°C above T_A= +25°C.

(2) Derate linearly at 2.86 mW/°C above T_A= +25°C.

Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in

improving this document should be addressed to: Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P. O.

Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form

1426) appearing at the end of this document or by letter.

AMSC N/A

FSC 5961

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N3810L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANS2N3810U	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANS2N3811	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANS2N3811L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANS2N3811U	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANS2N3866A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 400MA I(C) \| TO-39
JANS2N3866AUB	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3866UB	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3867	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR
JANS2N3867S	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

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