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IXYP24N100C4

更新时间： 2023-12-06 20:13:14

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力特 - LITTELFUSE		栅极驱动双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	370K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYP24N100C4 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXYP30N120A4	LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达	获取价格
IXYP30N120C3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
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