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IXYH16N170C

更新时间: 2024-02-23 09:11:07
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力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
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7页 239K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数,这些高压IGBT可用于并联,相比串联低电压器件更加

IXYH16N170C 数据手册

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IXYH16N170C  
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Collector Current  
Fig. 12. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Gate Resistance  
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
6
5
4
3
2
1
0
12  
10  
8
E
R
E
E
T
E
off  
on  
off  
on  
= 10  
V
  
= 15V  
= 150ºC , V = 15V  
GE  
G
GE  
J
V
= 850V  
V
= 850V  
CE  
CE  
I
= 32A  
C
6
T
J
= 150ºC  
4
I
= 16A  
C
T
J
= 25ºC  
2
0
10  
12  
14  
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
32  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
IC - Amperes  
RG - Ohms  
Fig. 15. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Gate Resistance  
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Junction Temperature  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
6
5
4
3
2
1
0
7
E
E
off  
= 10  
on  
t f i  
td(off)  
R
VGE = 15V  
  
G
6
5
4
3
2
1
T
J
= 150ºC, V = 15V  
GE  
VCE = 850V  
V
= 850V  
CE  
I
= 32A  
C
I
= 16A  
C
I
= 32A  
C
IC = 16A  
60  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Junction Temperature  
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Collector Current  
220  
180  
140  
100  
60  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
220  
180  
140  
100  
60  
300  
t f i  
td(off)  
t f i  
td(off)  
R
G
= 10 , V = 15V  
 
GE  
R
G
= 10 , V = 15V  
  
GE  
250  
200  
150  
100  
50  
V
= 850V  
CE  
V
= 850V  
CE  
I
= 16A  
C
T
J
= 150ºC  
I
= 32A  
C
T
J
= 25ºC  
20  
20  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
10  
12  
14  
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
32  
IC - Amperes  
TJ - Degrees Centigrade  
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