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IXYH100N65B3

更新时间： 2024-01-03 09:50:07
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 259K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYH100N65B3 数据手册

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IXYH100N65B3  
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Collector Current  
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Gate Resistance  
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
14  
12  
10  
8
E
T
E
E
R
E
on - - - -  
on - - - -  
off  
off  
= 150ºC , V = 15V  
= 3  
V
= 15V  
GE  
Ω ,  
J
GE  
G
V
= 400V  
V
CE  
= 400V  
CE  
I
= 100A  
C
T
J
= 150ºC  
6
4
I
= 50A  
C
T
J
= 25ºC  
2
0
50  
55  
60  
65  
70  
75  
80  
85  
90  
95  
100  
3
6
9
12  
15  
18  
21  
24  
27  
30  
33  
IC (A)  
RG (Ω)  
Fig. 15. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Junction Temperature  
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Gate Resistance  
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
240  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
E
E
on - - - -  
off  
t f i  
t
d(off) - - - -  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
R
= 3  
VGE = 15V  
Ω ,  
G
T
J
= 150ºC, V = 15V  
GE  
VCE = 400V  
V
= 400V  
CE  
IC = 100A  
I
= 50A  
C
I
= 100A  
C
IC = 50A  
3
6
9
12  
15  
18  
21  
24  
27  
30  
33  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
RG (Ω)  
TJ (ºC)  
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Collector Current  
Fig. 18. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Junction Temperature  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
210  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
220  
210  
200  
190  
180  
170  
160  
150  
140  
130  
120  
t f i  
t
d(off) - - - -  
t f i  
t
d(off) - - - -  
200  
190  
180  
170  
160  
150  
140  
130  
120  
R
G
= 3 , V = 15V  
Ω
GE  
R
G
= 3 , V = 15V  
Ω
GE  
V
= 400V  
CE  
V
= 400V  
CE  
I
= 50A  
C
T = 150ºC  
J
I
= 100A  
C
60  
T = 25ºC  
J
60  
40  
40  
20  
50  
55  
60  
65  
70  
75  
80  
85  
90  
95  
100  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
IC (A)  
TJ (ºC)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
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与IXYH100N65B3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH100N65C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH10N170C LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH10N170CV1 LITTELFUSE

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IXYH120N65B3 LITTELFUSE

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IXYH120N65C3 LITTELFUSE

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