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IXTA42N15T

更新时间： 2024-11-20 21:17:15

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IXTA42N15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	42 A	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA42N15T 数据手册

TrenchHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 42A

R_DS(on)≤ 45mΩ

IXTA42N15T

IXTP42N15T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

150

(TAB)

V_DGR

V_GSM

Transient

± 30

TO-220

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

100

I_A

T_C= 25°C

E_AS

400

(TAB)

Drain

P_D

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +175

175

°C

G = Gate

T_JM

T_stg

S = Source

TAB = Drain

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zInternational standard packages

^z175°C Operating Temperature

^zAvalanche rated

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

High power density

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

150

2.5

4.5

Applications

±100 nA

μA

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

T_J= 150°C

150 μA

45 mΩ

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

^zDC choppers

^zAC motor drives

^zUninterruptible power supplies

^zHigh speed power switching

applications

DS99799A(11/08)

12 3 4 5

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