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IXTA44P15T PDF预览

IXTA44P15T

更新时间： 2024-11-06 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关驱动高压
页数 文件大小 规格书
8页 264K
描述
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱动电路，避免使用N通道MOSFET通常涉及的额外“高压侧”驱动电路。 这让设计人员可以减少元件数量，从而简

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IXTA44P15T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.45
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
端子面层：Matte Tin (Sn)

IXTA44P15T 数据手册

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TrenchPTM  
Power MOSFETs  
VDSS = - 150V  
ID25 = - 44A  
IXTA44P15T  
IXTP44P15T  
IXTQ44P15T  
IXTH44P15T  
RDS(on)  
≤
65mΩ  
P-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXTA)  
TO-220AB (IXTP)  
TO-3P (IXTQ)  
G
S
G
D
G
D (Tab)  
S
D
D (Tab)  
S
Tab  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXTH)  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
- 150  
- 150  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±15  
±25  
V
V
G
D
S
D (Tab)  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
- 44  
A
A
-130  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
- 22  
1
A
J
PD  
TC = 25°C  
298  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z Extended FBSOA  
z Fast Intrinsic Diode  
z
Md  
Mounting Torque (TO-220, TO-247 & TO-3P)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Low RDS(ON) and QG  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
g
Advantages  
TO-247  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
Applications  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
z
BVDSS  
VGS(th)  
VGS = 0V, ID = - 250μA  
VDS = VGS, ID = - 250μA  
-150  
- 2.0  
V
High-Side Switching  
Push Pull Amplifiers  
DC Choppers  
Automatic Test Equipment  
Current Regulators  
Battery Charger Applications  
z
- 4.0  
V
z
IGSS  
IDSS  
VGS = ±15V, VDS = 0V  
±100 nA  
z
z
VDS = VDSS, VGS = 0V  
- 15 μA  
- 750 μA  
z
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = -10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
65 mΩ  
DS100023B(01/13)  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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