型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTY3N60P | IXYS |
完全替代 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTP3N60P | IXYS |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA42N15T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA42N15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA42N15T-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA42N25P | IXYS |
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PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA42N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA44P15T | IXYS |
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P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA44P15T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTA460P2 | IXYS |
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PolarP2⢠Power MOSFET | |
IXTA460P2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA48N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |