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IXKP24N60C5

更新时间： 2024-02-03 18:57:19

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
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5页	153K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXKP24N60C5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220ABFP, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	522 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A
最大漏极电流 (ID)：	8.5 A	最大漏源导通电阻：	0.165 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXKP24N60C5 数据手册

IXKH 24N60C5

IXKP 24N60C5

Source-Drain Diode

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

I_S

V_GS= 0 V

V_SD

I_F= 12 A; V_GS= 0 V

0.9

1.2

t_rr

Q_RM

I_RM

390

7.5

µC

I_F= 12 A; -di_F/dt = 100 A/µs; V_R= 400 V

Component

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ

T_stg

operating

-55...+150

°C

M_d

mounting torque

TO-247

TO-220

0.8 ... 1.2

0.4 ... 0.6

Symbol

Conditions

Characteristic Values

min. typ. max.

R_thCH

with heatsink compound TO-247

TO-220

0.25

0.50

K/W

Weight

TO-247

TO-220

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080523c

2 - 4

123 4 5

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