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IXKP13N60C5M

更新时间： 2024-01-29 19:36:34

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	100K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220ABFP, 3 PIN

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IXKP13N60C5M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.34	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKP13N60C5M 数据手册

IXKP 13N60C5M

1.8

1.6

1.4

1.2

I_D= 6.6 A

V_GS= 10 V

V_DS> 2·R_{DS(on) max}· I_D

5 V

5.5 V

6 V

V_DS

7 V

6.5 V

25 °C

0.8

T_JV= 150°C

10 V

0.6

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

150 °C

T_J=

typ

98 %

-60

-20

_j[°C]

100

140

180

I _D[A]

[V]

Fig. 4 Typ. drain-source on-state

Fig. 5 Drain-source on-state resistance

Fig. 6 Typ. transfer characteristics

resistance characteristics of IGBT

10 ⁵

10 ⁴

10 ³

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

I_D= 6.6 A pulsed

V_GS= 0 V

f = 1 MHz

25 °C, 98%

V_DS= 120 V

150 °C, 98%

25 °C

Ciss

T_J= ^{150 °C}

Coss

Crss

100

200

300

[V]

400

500

0.5

1.5

_gate[nC]

[V]

Fig. 7 Forward characteristic

of reverse diode

Fig. 8 Typ. gate charge

Fig. 9 Typ. capacitances

10 ¹

300

200

100

700

660

620

580

540

I_D= 4.4 A

I_D= 0.25 mA

10 ⁰

0.5

0.2

0.1

D = t_p/T

0.05

0.02

0.01

10 ^-1

single pulse

10 ^-2

10 ^-5

-20

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

10 ⁰

100

140

180

-60

100

140

180

_j[°C]

t _p[s]

Fig. 10 Avalanche energy

Fig. 11 Drain-source breakdown voltage

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20090209d

4 - 4

1 2 34

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