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IXKP13N60C5M

更新时间： 2024-02-02 08:25:54

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	100K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220ABFP, 3 PIN

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IXKP13N60C5M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.34	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKP13N60C5M 数据手册

IXKP 13N60C5M

Source-Drain Diode

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

I_S

V_GS= 0 V

6.6

1.2

V_SD

I_F= 6.6 A; V_GS= 0 V

0.9

t_rr

Q_RM

I_RM

300

3.9

µC

I_F= 6.6 A; -di_F/dt = 100 A/µs; V_R= 400 V

Component

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ

T_stg

operating

-55...+150

°C

M_d

mounting torque

0.4 ... 0.6

Symbol

Conditions

Characteristic Values

min. typ. max.

R_thCH

R_thJA

with heatsink compound

thermal resistane juntion - ambient

0.50

K/W

Weight

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20090209d

2 - 4

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXKP20N60C5	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
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IXKP24N60C5	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
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