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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 154K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXKC19N60C5 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXKC19N60C5 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXKC20N60C | IXYS |
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CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package | |
IXKC20N60C | LITTELFUSE |
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此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS | |
IXKC23N60C5 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXKC23N60C5 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXKC25N80C | LITTELFUSE |
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此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS | |
IXKC40N60C | IXYS |
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CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220 | |
IXKC40N60C | LITTELFUSE |
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此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS | |
IXKF40N60SCD1 | IXYS |
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CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High |