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IXKC20N60C

更新时间： 2024-09-16 14:56:07

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		散热片
页数	文件大小	规格书
5页	253K
描述
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。这些器件经过了雪崩评级，因此可确保稳定可靠的运行。功能与特色: 应用: 优点:

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IXKC20N60C 数据手册

IXKC 20N60C

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFET

V_DSS

I_D25

= 600V

= 15A

R_{DS(on) max}= 190mΩ

Electrically isolated back surface

2500 V electrical isolation

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, high V_DSSMOSFET

Ultra low gate charge

ISOPLUS220^TM

isolated tab

E72873

Features

MOSFET

• Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- high power dissipation

- isolated mounting surface

- 2500 V electrical isolation

- low drain to tab capacitance (< 30 pF)

• CoolMOS^{™ 1)}power MOSFET

- 3rd generation

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C

600

V_GS

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

10.5

E_AS

E_AR

single pulse; I_D= 10 A; T_C= 25°C

repetitive;

690

- high blocking capability

- lowest resistance

I_D= 20 A; T_C= 25°C

- avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- low thermal resistance

due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

R_DSon

V_GS= 10 V; I_D= 16 A

160

190

3.9

mΩ

Applications

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= V_GS; I_D= 1 mA

2.1

• Switched mode power supplies

(SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

V_DS= 600 V; V_GS= 0 V

T_VJ= 25°C

_VJ= 150°C

250

µA

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

100

114

C_iss

C_oss

V_GS= 0 V; V_DS= 25 V

f = 1 MHz

2400

780

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

Q_g

Q_gs

Q_gd

Advantages

V_GS= 0 to 10 V; V_DS= 350 V; I_D= 20 A

• Easy assembly:

no screws or isolation foils required

• Space savings

• High power density

• High reliability

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

4.5

V_GS= 13 V; V_DS= 380 V

I_D= 21 A; R_G= 3.3 Ω; T_VJ= 125°C

R_thJC

K/W

¹⁾CoolMOS^™is a trademark of

Inﬁneon Technologies AG.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20080523a

1 - 4

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXKC23N60C5	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKC23N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXKC25N80C	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKC40N60C	IXYS	获取价格	CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220
IXKC40N60C	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKF40N60SCD1	IXYS	获取价格	CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High
IXKF40N60SCD1	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKG25N80C	IXYS	获取价格	CoolMOS Power MOSFET ISO264
IXKH13N60C5	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKH13N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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