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IXKK94N60C3

更新时间： 2024-01-28 00:04:03

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	555K
描述
Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

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IXKK94N60C3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	94 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXKK94N60C3 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

IXKK 94N60C3

Power MOSFET

Superj^Du^Sn^(ocⁿt⁾ion MOSFET

V_DSS

I_D25

= 600 V

= 94 A

Low R

, High Voltage,

R_DS(on)= 35 mΩ

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-264

V_DSS

V_GS

T_J= 25°C to 150°C

600

Continuous

I_D25

T_C= 25°C; Note 1

T_C= 100°C, Note 1

(TAB)

I_D100

I_D(RMS)

E_AS

Package lead current limit

I_o= 10A, T_C= 25°C

1800

G = Gate

S = Source

D = Drain

P_D

T_C= 25°C

780

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +125

z 3^RDgeneration Superjunction power

MOSFET

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting force

300

°C

F_C

11 ... 65 / 2.4 ...11 N/lb

- High blocking capability

- Low on resistance

Weight

- Avalanche rated for unclamped inductive

switching (UIS)

z Low thermal resistance due to reduced

chip thickness

Applications

z Switched Mode Power Supplies (SMPS)

z Uninterruptible Power Supplies (UPS)

z Power Factor Correction (PFC)

z Welding

z Inductive Heating

Symbol

R_DS(on)

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 10 V, I = I_D100, Note

35 mΩ

mΩ

V_GS= 10 V, I^D_D= I_D100, Note T_J= 125°C

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_DS= V

T = 25°C

50 µA

400 µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 150°C

I_GSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

DS99065B(08/03)

12 3 4

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