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IXKN75N60C

更新时间： 2024-01-18 17:16:55

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CoolMOS Power MOSFET

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IXKN75N60C 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	3.44
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.036 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXKN75N60C 数据手册

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

CoolMOS Power MOSFET

600 V 75 A 35 mΩ

IXKN 75N60C

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

Preliminary

miniBLOC, SOT-227 B

E72873

MOSFET

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

600

±20

V_GS

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

D = Drain

dv/dt

V_DS< V_DSS; I_F≤ 100A; di_F/dt ≤ 200A/µs

T_VJ= 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

E_AS

E_AR

I_D= 10 A; L = 36 mH; T_C= 25°C

I_D= 20 A; L = 5 µH; T_C= 25°C

1.8

Either source terminal at miniBLOC can be used

as main or kelvin source

Features

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

●

miniBLOC package

- Electrically isolated copper base

- Low coupling capacitance to the heatsink for

reduced EMI

- High power dissipation due to AlN

ceramic substrate

min.

typ. max.

R_DSon

V_GSth

I_DSS

V_GS= 10 V;I_D= I_D90

35 mΩ

5.5 V

V_DS= 20 V;I_D= 5 mA;

3.5

- International standard package SOT-227

- Easy screw assembly

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.05 mA

0.1

fast CoolMOS power MOSFET - 2^ndgeneration

●

- High blocking capability

- Low on resistance

I_GSS

V_GS= ±20 V; V_DS= 0 V

200 nA

Q_g

Q_gs

Q_gd

440

112

246

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance

due to reduced chip thickness

V_GS= 10 V; V_DS= 350 V; I_D= 100 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

100

●

Enhanced total power density

V_GS= 10 V; V_DS= 380 V;

I_D= 50 A; R_G= 1 Ω

Applications

●

Switched mode power supplies (SMPS)

Uninterruptible power supplies (UPS)

Power factor correction (PFC)

Welding

●

V_F

(reverse conduction) I_F= 37.5 A;V_GS= 0 V

0.9

1.1

●

R_thJC

0.22 K/W

●

Inductive heating

CoolMOS is a trademark of

Infineon Technologies AG.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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