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IXKP10N60C5M

更新时间： 2024-11-18 20:09:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220ABFP, 3 PIN

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IXKP10N60C5M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220ABFP, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	225 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.4 A
最大漏极电流 (ID)：	5.4 A	最大漏源导通电阻：	0.385 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXKP10N60C5M 数据手册

IXKP 10N60C5M

CoolMOS^{™ 1)}Power MOSFET

I_D25

V_DSS

5.4 A

= 600 V

R_{DS(on) max}= 0.385 Ω

Fully isolated package

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

Ultra low gate charge

TO-220 ABFP

Preliminary data

Features

MOSFET

• Fast CoolMOS^{™ 1)}power MOSFET 4^th

generation

- High blocking capability

- Lowest resistance

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C

600

V_GS

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

• Fully isolated package

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

5.4

3.7

E_AS

E_AR

single pulse

repetitive

225

0.3

I_D= 3.4 A; T_C= 25°C

Applications

• Switched mode power supplies (SMPS)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

dV/dt

MOSFET dV/dt ruggedness V_DS= 0...480 V

50 V/ns

Symbol

Conditions

Characteristic Values

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

R_DSon

V_GS= 10 V; I_D= 5.2 A

350

385

mΩ

¹⁾CoolMOS^™is a trademark of

Inﬁneon Technologies AG.

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= V_GS; I_D= 0.34 mA

V_DS= 600 V; V_GS= 0 V

2.5

3.5

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

µA

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

100

C_iss

C_oss

V_GS= 0 V; V_DS= 100 V

f = 1 MHz

790

Q_g

Q_gs

Q_gd

V_GS= 0 to 10 V; V_DS= 400 V; I_D= 5.2 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10 V; V_DS= 400 V

I_D= 5.2 A; R_G= 3.3 Ω

R_thJC

3.95 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20090209d

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXKP13N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKP13N60C5M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXKP13N60C5M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXKP20N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXKP20N60C5M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXKP24N60C5	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXKP24N60C5	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXKP24N60C5M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXKP24N60C5M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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