品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | 散热片 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 283K | |
描述 | ||
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS(on)。 内部DCB隔离简化了组装并减小了从结到散热片之间的热阻。 这些器件经过了雪崩评级,因此可确保稳定可靠的运行。 功能与特色: 应用: 优点: |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXKP10N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600A I(D), 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
IXKP10N60C5M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXKP10N60C5M | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXKP13N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXKP13N60C5M | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXKP13N60C5M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXKP20N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXKP20N60C5M | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXKP24N60C5 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXKP24N60C5 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |