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IXKK94N60C3

更新时间： 2024-02-18 08:51:22

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	555K
描述
Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

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IXKK94N60C3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	94 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXKK94N60C3 数据手册

IXKK 94N60C3

Fig. 1. Output Characteristics

@ 25 Deg. C

Fig. 2. Extended Output Characteristics

@ 25 deg. C

360

100

V_GS= 10V

p = 300µs

320

280

240

200

160

120

4.5V

0.5

1.5

2.5

3.5

12 14

V_{D S}- Volts

Fig. 3. Output Characteristics

@ 125 Deg. C

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D100Value

vs. Junction Temperature

100

2.8

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

V_GS= 10V

p = 300µs

4.5V

I_D= 60A

I_D= 30A

0.7

0.4

-50

-25

100 125 150

V_{D S}- Volts

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to

_D100Value vs. I_D

Fig. 6. Drain Current vs. Case

Temperature

3.7

3.4

3.1

2.8

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

100

V_GS= 10V

p = 300µs

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.7

80 120 160 200 240 280 320 360

-50

-25

100 125 150

I _D- Amperes

T_C- Degrees Centigrade

1 234

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